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IRF1404LPBF中文资料PDF规格书
IRF1404LPBF规格书详情
Description
Seventh Generation HEXFETÆPower MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF1404LPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
13888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO262 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
Infineon |
2023 |
7500 |
公司原装现货/支持实单 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-262 |
6000 |
原装现货正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-262 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |
