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IRF1324LPBF	文件：526.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Pow 文件：526.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF1324LPBF
功能描述：
MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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