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IRF1404ZGPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1404ZL	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：306.06 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZL	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：294.32 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZL	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：4.6855 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF1404ZGPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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