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IRF1407L	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A?? Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：159.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1407L	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1407LPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A ) Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：258.07 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1407LPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：578.95 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1407LPbF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF1407L
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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