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IRF1010Z	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc 文件：302.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010Z	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • reliable device for use in a wide variety of applications • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤7.5mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operati 文件：338.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010ZL	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc 文件：302.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZS	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc 文件：302.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZLPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：359.06 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZLPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZPBF	文件：359.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：359.06 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010ZS	文件：263.64 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010ZSPBF	文件：404.91 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF1010ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
7.5 mΩ
ID @25°C max：
94 A
QG typ @10V：
63 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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