| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
HEXFET짰 Power MOSFET 文件：359.06 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：404.91 Kbytes 页数：12 Pages | IRF | IRF | ||
IRF1010Z | 采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Advanced Process Technology | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN：
IRF1010ZPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
TO220
- VDS max：
55 V
- RDS (on) @10V max：
7.5 mΩ
- ID @25°C max：
94 A
- QG typ @10V：
63 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
2 V
- VGS(th) max：
4 V
- VGS(th)：
3 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
18+ |
TO-220 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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