IRF1010Z中文资料55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书
IRF1010Z规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
• Industry standard through-hole power package
• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
• Capable of being wave-soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRF1010Z
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF1010ZPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：TO220
- VDS max
：55 V
- RDS (on) @10V max
：7.5 mΩ
- ID @25°C max
：94 A
- QG typ @10V
：63 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
INFINEON/ |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
0607 |
250 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
27274 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
14100 |
原装正品 |
询价 |
