IRF1010E中文资料采用 TO-220 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF1010E规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
应用 Application
• 消费类全桥
• 全桥
• 推挽
技术参数
- 制造商编号
：IRF1010E
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF1010EPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：TO220
- VDS max
：60 V
- RDS (on) @10V max
：12 mΩ
- ID @25°C max
：84 A
- QG typ @10V
：86.6 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-220 |
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TO-220 |
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