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IRF1010E数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF1010E

功能描述

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:13:00

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IRF1010E规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
 

应用 Application

• 消费类全桥
• 全桥
• 推挽

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF1010E

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF1010EPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :TO220

  • VDS max

    :60 V

  • RDS (on) @10V max

    :12 mΩ

  • ID @25°C max

    :84 A

  • QG typ @10V

    :86.6 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
11+PBF
TO-262
45
优势
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IR
24+
TO-220AB
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