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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

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INFINEON/英飞凌TO-220

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INFINEONSMD

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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深圳市东来宝电子科技有限公司

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INFINEONTube

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INFINEONTO-220

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全新原装公司现货

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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INFINEON/英飞凌TO-220

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IRF1010EZPbF

型号: IRF1010EZPBF 类别: fet - 单 制造商: Infineon Technologies Americas Corp. 描述: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB ?湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) FET类型: MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压(Vdss): 60V 电流-连续漏极(Id)(25°

IRF1010EPBF 正品现货 热卖库存 深圳市神舟芯电子科技有限公司

深 圳 市 神 舟 芯 电 子 科 技 有 限 公 司 联系人 :张小姐 电 话: 0755-23156358/15814652535 传真:0755-23156358 地 址:深圳市 宝安区 民治大道 华侨新苑5--11A QQ: 2443899114 网址:www.szx-ic.com 本公司只做原装,散新勿扰 IRF1010EPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC RoHS:否 制造商:S

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IRF1010E制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB

IRF1010EHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube

IRF1010EL功能描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF1010ELPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET

IRF1010EPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF1010ES制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A)

IRF1010ESPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 83A, 12 MOHM, 86.6 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 84A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 84A D2PAK

IRF1010ESTRL制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 84A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr

IRF1010ESTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF1010ESTRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件