数据列表 IRF1010EPbF
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 HEXFET®
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 130nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 50A，10V
供应商器件封装 TO-220AB
功率 - 最大值 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
漏源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 84A （Tc）
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
