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IRF1010EZS中文资料60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装数据手册Infineon规格书
IRF1010EZS规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 快速开关
• 175°C 的工作温度
技术参数
- 制造商编号
：IRF1010EZS
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF1010EZSTRLP
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：D2PAK
- VDS max
：60 V
- RDS (on) @10V max
：8.5 mΩ
- ID @25°C max
：84 A
- QG typ @10V
：58 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 | |||
IR |
25+ |
QFN |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO263 |
74131 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
D2PAK(TO263) |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-263-2 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
