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IRF1010EZS	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：285.31 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010EZS	文件：287.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：287.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010EZS	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010EZSPBF	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：285.31 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010EZSPBF	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：413.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010EZSTRLP	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：413.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1010EZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF1010EZSTRLP
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
8.5 mΩ
ID @25°C max：
84 A
QG typ @10V：
58 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市美思瑞电子科技有限公司	IRF1010EZS	IR	22+	D2-PAK	9450	原装正品，实单请联系	询价
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更多IRF1010EZS供应商更新时间2025-9-30 15:44:00

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