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IRF1010EZS规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号：
IRF1010EZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
D2-Pak |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-263-2 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
IR(国际整流器) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
