IRF1010EZ中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IRF1010EZ规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号：
IRF1010EZ
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-220 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
369 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO220 |
1568 |
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-263-2 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
14100 |
原装正品 |
询价 |
