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IRF1010EZSPBF规格书详情
Description
This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF1010EZSPBF
- 功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 58nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
12048 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
D2PAK(TO263) |
54648 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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D2PAK(TO263) |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
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IR/INFINEON |
16+ |
TO-263 |
200 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
400 |
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IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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VBsemi |
24+ |
TO263 |
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