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IRF1010EZSPBF规格书详情
描述 Description
This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
特性 Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF1010EZSPBF
- 功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 58nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
400 |
询价 | |||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
10000 |
只做全新原装,实单来 |
询价 | |||
IR/INFINEON |
16+ |
TO-263 |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 |
