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IRF1104S | HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：272.44 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRF1104S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
05+ |
原厂原装 |
551 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
16+ |
SOP |
4 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
08+ |
SOP |
10068 |
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家 |
询价 | ||
IR |
1902+ |
SOP |
2734 |
代理品牌 |
询价 | ||
IR |
20+ |
D2-Pak |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
JAECS |
20+ |
SOP |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
询价 | ||
IR |
2447 |
D2-PAK |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 |
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