| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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IRTO-126 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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12年
留言
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IRTO-262 |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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13年
留言
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IRTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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8年
留言
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IRTO-220 |
9888 |
17+ |
只做原装,现货库存 |
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16年
留言
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IRTO-126 |
6893 |
26+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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18年
留言
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IRTO-262 |
740 |
IR |
原装 |
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10年
留言
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IRTO-262 |
48473 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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11年
留言
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IRTO-262 |
3000 |
26+ |
进口原装现货 |
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14年
留言
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IRTO-262 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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2年
留言
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IRTO-126 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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13年
留言
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ISSTSOP-28 |
27960 |
26+ |
原装现货.优势热卖.终端BOM表可配单 |
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1年
留言
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IRTSSOP-14 |
6800 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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4年
留言
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Infineon Technologies原装 |
7000 |
23+ |
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11年
留言
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IRTO-126 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-126 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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17年
留言
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IRTO-262 |
8866 |
24+ |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-262-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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Infineon Technologies原装 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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14年
留言
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IRTO-262 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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IRF1010NL图片
IRF1010NL中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1010NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1010NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件



























