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IRF100PW219	文件：1.03327 Mbytes Page：12 Pages	Marking：100PW219；Package：PG-TO247-3；MOSFET StrongIRFET™ Power MOSFET, 100 V Features •Verylowon‑resistanceRds(on) •ExcellentgatechargexRds(on)(FOM) •OptimizedQrr •175°Coperatingtemperature •ProductvalidationaccordingtoJEDECstandard •Optimizedforbroadestavailabilityfromdistributionpartners Benefits •Reducedconductionlosses •Ideal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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IRF100PW219

文件：1.03327 Mbytes

Page：12 Pages

Marking：100PW219；Package：PG-TO247-3；MOSFET StrongIRFET™ Power MOSFET, 100 V

Features •Verylowon‑resistanceRds(on) •ExcellentgatechargexRds(on)(FOM) •OptimizedQrr •175°Coperatingtemperature •ProductvalidationaccordingtoJEDECstandard •Optimizedforbroadestavailabilityfromdistributionpartners Benefits •Reducedconductionlosses •Ideal

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更多IRF100PW219供应商更新时间2025-5-16 16:02:00

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