IRF100PW219中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF100PW219
功能描述	MOSFET StrongIRFET™ Power MOSFET, 100 V
丝印标识	100PW219
封装外壳	PG-TO247-3
文件大小	1.03327 Mbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Infineon
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-12 14:23:00
人工找货	IRF100PW219价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Very low on‑resistance Rds(on)

• Excellent gate charge x Rds(on) (FOM)

• Optimized Qrr

• 175°C operating temperature

• Product validation according to JEDEC standard

• Optimized for broadest availability from distribution partners

Benefits

• Reduced conduction losses

• Ideal for high switching frequency

• Lower overshoot voltage

• Increased reliability versus 150°C rated parts

• Pb‑free lead plating; RoHS compliant

• Lead free, Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

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