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IRF101	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1010E	文件：195.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A? •AdvancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •Dynamicdv/dtRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EL	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：231.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ES	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ESPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：296.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EZL	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF101
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF101供应商更新时间2025-7-11 18:06:00

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