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IRF1010EPBF	文件：3.12153 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010ES	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF1010ESPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ESPBF_15	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装; \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)\n• Capable of being wave-soldered\n \n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF1010EZPBF	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZPBF_15	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZS	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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技术参数

OPN：
IRF1010EPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
12 mΩ
ID @25°C max：
84 A
QG typ @10V：
86.6 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF101供应商更新时间2025-7-28 16:48:00

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