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IRF1010ES	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A?? Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：123.94 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1010ES	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010ESPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：218.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1010ESPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：227.87 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010ESPBF_15	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：227.87 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF1010ESTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
12 mΩ
ID @25°C max：
84 A
QG typ @10V：
86.6 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF1010ES供应商更新时间2025-9-30 15:44:00

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