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  • FQP6N60C

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    Page:10Pages

  • 600V N-Channel MOSFET

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
  • 2
  • 文件:537Kbytes

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  • 600V N-Channel MOSFET

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
  • 3
  • 文件:142Kbytes

    Page:7Pages

  • 6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

  • UTCYoushun Technology Co., Ltd

    友顺友顺科技股份有限公司

  • UTC
  • 4
  • 文件:249Kbytes

    Page:6Pages

  • 6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

  • UTCYoushun Technology Co., Ltd

    友顺友顺科技股份有限公司

  • UTC
  • 5
  • 文件:254Kbytes

    Page:6Pages

  • 6.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

  • UTCYoushun Technology Co., Ltd

    友顺友顺科技股份有限公司

  • UTC
  • 6
  • 文件:2108Kbytes

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  • N-CHANNEL POWER MOSFET

  • SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

    森美特森美特半导体股份有限公司

  • SUNMATE
  • 7
  • 文件:193Kbytes

    Page:2Pages

  • 6A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET

  • CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

    CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

  • CHONGQING
  • 8
  • 文件:158Kbytes

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  • Avalanche Energy Specified

  • ISCInchange Semiconductor Company Limited

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • ISC
  • 11
  • 文件:1080Kbytes

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  • N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

  • VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

    微碧微碧半导体(台湾)有限公司

  • VBSEMI
  • 14
  • 文件:1123Kbytes

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  • 6A 600V N-channel enhanced field effect transistor

  • YFWDIODE

    DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

  • YFWDIODE
  • 17
  • 文件:193Kbytes

    Page:2Pages

  • 6A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET

  • CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

    CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

  • CHONGQING
  • 19
  • 文件:193Kbytes

    Page:2Pages

  • 6A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET

  • CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

    CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

  • CHONGQING
  • 20
  • 文件:2108Kbytes

    Page:7Pages

  • N-CHANNEL POWER MOSFET

  • SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

    森美特森美特半导体股份有限公司

  • SUNMATE
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  • 品牌
  • 批号
  • 封装
  • 库存
  • 备注
  • 操作
更多供应商 更新时间:2022-12-7 15:14:10

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQP6N60C

  • 功能描述

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

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