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FQP6N80C	文件：1.01814 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N80C	文件：889.91 Kbytes Page：10 Pages	800V N-Channel MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N80C	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N80C	文件：306.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP6N80C_13	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
6N80	文件：199.62 Kbytes Page：6 Pages	6A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N80	文件：61.06 Kbytes Page：2 Pages	SimpleDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N80	文件：87.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
6N80	文件：398.49 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
6N80	文件：319.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N80	文件：181.17 Kbytes Page：6 Pages	6.0Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N80isaN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulse	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N80C	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：1.01814 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,5.5A,2.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：1.30391 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	Good-Ark Good-Ark
F6N80	文件：263.38 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(220V,2.0OHM,4.5A)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：484.49 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.
F6N80	文件：661.2 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：831.19 Kbytes Page：15 Pages	Ultralowgatecharge Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
F6N80	文件：537.7 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.
F6N80	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FQP6N80C
功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP6N80C供应商更新时间2024-4-27 10:12:00

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