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FQP7P06	文件：657.39 Kbytes Page：8 Pages	60V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FQT7P06	文件：695.3 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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KSMD7P06	文件：1.57724 Mbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMU7P06	文件：655.49 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
MTP7P06	文件：168.7 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
TSM7P06	文件：344.4 Kbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
TSM7P06CP	文件：344.4 Kbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
TSM7P06CPROG	文件：344.4 Kbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司

详细参数

型号：
FQP7P06
功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP7P06供应商更新时间2024-4-20 10:12:00

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