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FQPF32N20C	文件：307.44 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET FEATURES ·Drain Current -ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.082Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·Motor drives 文件：307.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF32N20C	文件：1.18446 Mbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET 文件：1.18446 Mbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF32N20C	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，28 A，82 mΩ，TO-220F 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •28A, 200V, RDS(on)= 82mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 14A栅极电荷低（典型值：82.5nC)\n•低 Crss（典型值185pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\"\n• 100% avalanche tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IXTA32N20T	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA32N20T	文件：211.86 Kbytes Page：6 Pages	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：211.86 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP32N20T	文件：211.86 Kbytes Page：6 Pages	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：211.86 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
200
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
28
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
82
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
82.5
Ciss Typ (pF)：
1700
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市亿智腾科技有限公司	FQPF32N20C	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220-3PF	3580	原装现货/15年行业经验欢迎询价	询价
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更多FQPF32N20C供应商更新时间2025-12-11 10:20:00

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