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IXTA32N20T	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA32N20T	文件：211.86 Kbytes Page：6 Pages	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP32N20T	文件：295.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP32N20T	文件：211.86 Kbytes Page：6 Pages	TrenchTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KSM32N20C	文件：2.76246 Mbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF32N20C	文件：2.76246 Mbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTV32N20E	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET32AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.075OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesigna	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTV32N20E	文件：298.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW32N20E	文件：326.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW32N20E	文件：205.3 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET32AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.075OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
IXTA32N20T
功能描述：
MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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