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MTW32N20E

Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247

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ONSEMI

安森美半导体

MTW32N20E

TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM

文件:205.3 Kbytes 页数:8 Pages

Motorola

摩托罗拉

MTW32N20E

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:326.09 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MTW32N20EG

Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247

文件:89.11 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTW32N20E

功率 MOSFET,200V,32A,75mΩ,单 N 沟道,TO-247

此高级功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。新型能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源、转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。 • Avalanche Energy Specified\n• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode\n• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits\n• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Isolated Mounting Hole\n• Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MTW32N20E

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 32A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多MTW32N20E供应商 更新时间2025-12-24 12:00:00