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MTW32N20E | Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247 文件:89.11 Kbytes 页数:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MTW32N20E | TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM 文件:205.3 Kbytes 页数:8 Pages | Motorola 摩托罗拉 | Motorola | |
MTW32N20E | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:326.09 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247 文件:89.11 Kbytes 页数:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
MTW32N20E | 功率 MOSFET,200V,32A,75mΩ,单 N 沟道,TO-247 此高级功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。新型能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源、转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用,尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。 • Avalanche Energy Specified\n• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode\n• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits\n• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Isolated Mounting Hole\n• Pb-Free Package is Available; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
详细参数
- 型号:
MTW32N20E
- 功能描述:
MOSFET 200V 32A N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
9850 |
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TO-247 |
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MOT |
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TO-247 |
2500 |
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3900 |
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MOT |
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NA |
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ON Semiconductor |
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50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ON Semiconductor |
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9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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OnSemi |
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