MTW32N20E中文资料功率 MOSFET，200V，32A，75mΩ，单 N 沟道，TO-247数据手册ONSEMI规格书
MTW32N20E规格书详情
描述 Description
此高级功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。新型能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源、转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。
特性 Features
• Avalanche Energy Specified
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Isolated Mounting Hole
• Pb-Free Package is Available
技术参数
- 型号：
MTW32N20E
- 功能描述：
MOSFET 200V 32A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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