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FQP6N60C数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQP6N60C

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,5.5 A,2.0 Ω,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FQP6N60C规格书详情

描述 Description

此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。

特性 Features

•5.5 A,600 V,RDS(on) = 2.0Ω @ VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型值16 nC)
•低Crss(典型值7 pF)
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•可提高dv/dt处理能力

应用 Application

照明

技术参数

  • 型号:

    FQP6N60C

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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