FQP6N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，5.5 A，2.0 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP6N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
特性 Features
•5.5 A，600 V，RDS(on) = 2.0Ω @ VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值16 nC）
•低Crss（典型值7 pF）
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•可提高dv/dt处理能力
应用 Application
照明
技术参数
- 型号：
FQP6N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FSC |
2015+ |
TO220 |
19898 |
专业代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-220 |
5018 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRC |
23+ |
TO-220 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
TO-220-3 |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 |
