FQP55N10数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQP55N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•55A, 100V, RDS(on)= 26mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 27.5A栅极电荷低(典型值:75nC)
•低 Crss(典型值130pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
:FQP55N10
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:55
- PD Max (W)
:155
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:26
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:75
- Ciss Typ (pF)
:2100
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
1562 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220 |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
FSC |
18+ |
TO220 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-220 |
8600 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO220 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
121 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHIL |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FSC |
10+ |
TO-220 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 |