FQP55N10中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP55N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•55A, 100V, RDS(on)= 26mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 27.5A栅极电荷低（典型值：75nC)
•低 Crss（典型值130pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
：FQP55N10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：55
- PD Max (W)
：155
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：26
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：75
- Ciss Typ (pF)
：2100
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
10000 |
只做原装,假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
