FQP3N60C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQP3N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3A, 600V, RDS(on)= 3.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.5A栅极电荷低（典型值：10.5nC)
•低 Crss（典型值5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQP3N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：3
- PD Max (W)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10.5
- Ciss Typ (pF)
：435
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-220 |
5045 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
45000 |
INFINEON/英飞凌全新现货FQP3N60C即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
155553 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
17+ |
TO-220 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-220 |
2000 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO220 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
FSC |
1844+ |
TO220 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
