FQP3N50C中文资料N 沟道 QFET® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

特性 Features

•3 A，500 V，RDS(on) = 2.5 Ω（最大值），条件是 VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值10 nC)
•低 Crss（典型值8.5 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• High Efficiency Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction
• Electronic Lamp Ballasts based on Half Bridge Topology