FQP3N30中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 300V，3.2A，2.2Ω数据手册ONSEMI规格书
FQP3N30规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3.2A, 300V, RDS(on)= 2.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.6A栅极电荷低（典型值：5.5nC）
•低 Crss（典型值6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
：FQP3N30
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：300
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：3.2
- PD Max (W)
：55
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.5
- Ciss Typ (pF)
：175
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220 |
1709 |
询价 | |||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO220 |
6893 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
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原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
