FQP2N40数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•1.8 A、400 V、RDS(on) = 5.8 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 0.9 A•
•低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
•低 Crss（典型值 3.0 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications