FQP30N06数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQP30N06规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•30A, 60V, RDS(on)= 40mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 15A栅极电荷低(典型值:19nC)
•低 Crss(典型值40pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他音频与视频
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
:FQP30N06
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:30
- PD Max (W)
:79
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:40
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:19
- Ciss Typ (pF)
:725
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
28250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
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FSC |
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TO-220 |
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FAIRCHILD/仙童 |
13+ |
TO-220 |
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只做原装正品 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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