FQP2N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2 A，4.7 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP2N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•2A，600V，RDS(on)= 4.7Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 1A 时）
•低栅极电荷（典型值 8.5nC)
•低 Crss（典型值 4.3pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQP2N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4700
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.5
- Ciss Typ (pF)
：180
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
19+ |
TO-220 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
FAI |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | |||
FAIRCILD |
22+ |
TO-220 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FSC |
22+ |
TO-220 |
5000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 |
