FQP2N90中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，2.2 A，7.2 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP2N90规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•2.2A, 900V, RDS(on)= 7.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.1A栅极电荷低（典型值：12nC)
•低 Crss（典型值5.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQP2N90
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：2.2
- PD Max (W)
：85
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：390
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
9600 |
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询价 | ||
FSC |
2018+ |
TO-220 |
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ON-SEMI |
22+ |
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原装正品 香港现货 |
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23+ |
TO-220(TO-220-3) |
8080 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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ON(安森美) |
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TO-220(TO-220-3) |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
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