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FQP4N20L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQP4N20L

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,3.8 A,1.35 Ω,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:11:00

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FQP4N20L规格书详情

描述 Description

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供的卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器、开关模式电源、电机控制。

特性 Features

•3.8 A、200 V、RDS(on) = 1.35 Ω(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 1.9 A
•低栅极电荷(典型值 4.0 nC)
•低 Crss(典型值 6.0 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

技术参数

  • 制造商编号

    :FQP4N20L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :2

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :3.8

  • PD Max (W)

    :45

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :240

  • Package Type

    :TO-220-3

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