FQP4N20L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.35 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP4N20L规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供的卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器、开关模式电源、电机控制。
特性 Features
•3.8 A、200 V、RDS(on) = 1.35 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 1.9 A
•低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
•低 Crss（典型值 6.0 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 制造商编号
：FQP4N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：2
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：3.8
- PD Max (W)
：45
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.4
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4
- Ciss Typ (pF)
：240
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
480 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
T0-220 |
6024 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220 |
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FAIRCILD |
22+ |
TO-220 |
8000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
