FQP4N90C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQP4N90C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•4A, 900V, RDS(on)= 4.2Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 2A栅极电荷低(典型值:17nC)
•低 Crss(典型值5.6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
:FQP4N90C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:900
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:4
- PD Max (W)
:140
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:4200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:17
- Ciss Typ (pF)
:740
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
2600 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHI |
17+ |
TO-220 |
8212 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
15000 |
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ON/安森美 |
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TO-220F |
32000 |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
9000 |
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ON |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
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询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO220 |
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