FQP4N90C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP4N90C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•4A, 900V, RDS(on)= 4.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2A栅极电荷低（典型值：17nC)
•低 Crss（典型值5.6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQP4N90C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：4
- PD Max (W)
：140
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ciss Typ (pF)
：740
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2024+ |
TO-220 |
500000 |
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