FQP5N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，4.5 A，2.5 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP5N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•4.5A, 600V, RDS(on)= 2.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2.25A栅极电荷低（典型值：15nC）
•低 Crss（典型值6.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQP5N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：4.5
- PD Max (W)
：100
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：515
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
11+ |
8762 |
询价 | |||||
FAIRCHILD |
25+ |
DIP40 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FSC |
21+ |
TO220 |
24304 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
80360 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 |
