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FQPF11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF11N50CF	文件：277.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
11N50	文件：161 Kbytes Page：6 Pages	500VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC11N50isanN-channelenhancementmodepowerMOSFET.ItusesUTCadvancedplanarstripe,DMOStechnologytoprovidecustomersperfectswitchingperformance,minimalon-stateresistance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. TheU	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
11N50	文件：185.39 Kbytes Page：6 Pages	11A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
11N50K-MT	文件：217.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AP11N50I	文件：99.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
FB11N50A	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
FB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
FDP11N50	文件：331.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.725Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRFB11N50	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB11N50A	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB11N50A	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB11N50A	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFB11N50APBF	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB11N50APBF	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFS11N50A	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFS11N50A	文件：118.81 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFS11N50A	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

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详细参数

型号：
FQPF11N50CF
功能描述：
MOSFET 500V N-Ch Adv Q-FET C-series(FRFET)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FQPF11N50CF	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	TO220F	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQPF11N50CF	onsemi	23+	TO-220F-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF11N50CF	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市恒创达实业有限公司	FQPF11N50CF	FSC进口原	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	FQPF11N50CF	FAIRCHILD	2017+	TO220F	45248	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市勤思达科技有限公司	FQPF11N50CF	FAIRCHIL	2015+	TO-220F	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	FQPF11N50CF	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-220F	8866		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQPF11N50CF	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市达恩科技有限公司	FQPF11N50CF	ONSemiconductor	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
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更多FQPF11N50CF供应商更新时间2024-4-25 15:00:00

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