isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=3.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.95Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 3.3A, 1.95Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •3.3A, 800V, RDS(on)= 1.95Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.65A栅极电荷低（典型值：31nC)\n•低 Crss（典型值14pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% 封装绝缘测试\n•100% package isolation tested;

ONSEMI

安森美半导体

Power switch circuit of adaptor and charger

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HMSEMI

华之美半导体

N-Channel Enhancement Mode

Standard Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features ● International standard packages ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Low package inductance (

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电