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FQPF6N80T	文件：278.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N80	文件：61.06 Kbytes Page：2 Pages	SimpleDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N80	文件：199.62 Kbytes Page：6 Pages	6A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N80	文件：87.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
6N80	文件：398.49 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
6N80	文件：319.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N80	文件：181.17 Kbytes Page：6 Pages	6.0Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N80isaN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulse	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N80C	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：1.01814 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET800V,5.5A,2.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：1.30391 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	Good-Ark Good-Ark
F6N80	文件：263.38 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(220V,2.0OHM,4.5A)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：484.49 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.
F6N80	文件：661.2 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
F6N80	文件：831.19 Kbytes Page：15 Pages	Ultralowgatecharge Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
F6N80	文件：537.7 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.
F6N80	文件：855.56 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA6N80	文件：369.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA6N80	文件：677.25 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF6N80	文件：661.2 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF6N80	文件：329.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
FQPF6N80T
功能描述：
MOSFET N-CH/800V/6A/QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQPF6N80T供应商更新时间2024-4-27 11:22:00

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