FQPF6N80T中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 3.3A, 1.95Ω数据手册ONSEMI规格书
FQPF6N80T规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3.3A, 800V, RDS(on)= 1.95Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.65A栅极电荷低（典型值：31nC)
•低 Crss（典型值14pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% 封装绝缘测试
•100% package isolation tested
应用 Application
• LCD 电视
• 家用音频系统组件
技术参数
- 制造商编号
：FQPF6N80T
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：3.3
- PD Max (W)
：51
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1950
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：31
- Ciss Typ (pF)
：1150
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
390000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F3L |
22800 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
5000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 |
