FQPF5N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，4.5 A，2.5 Ω，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF5N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率系数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•4.5A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10V
•Low gate charge (typical 15 nC)
•Low Crss (typical 6.5 pF)
•Fast switching
•100% avalanche tested
•Improved dv/dt capability
技术参数
- 型号：
FQPF5N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
950 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220F |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
19+ |
TO-220 |
20000 |
询价 | |||
FSC |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-220 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
TO-220F |
35500 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
22+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
询价 |
