P 沟道 QFET® MOSFET -120V，-15A，200mΩ

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。. •-15A, -120V, RDS(on)= 20mΩ（最大值）（VGS = -10 V，ID = -7.5A时）栅极电荷低（典型值： 29nC)\n•低 Crss（典型值 110pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体

120V P-Channel MOSFET

文件：852.56 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

1500VDC 20x65mm Photovoltaic Fuses

FEATURES/BENEFITS • 10A to 65A for higher amperage applications • Low fault current interrupting capability • Durable construction for enhanced system longevity • Temperature and load cycling capability • Certified to global standards • Recommended fuse holders: HP15FHP80W, HP15FHP80B

文件：335.24 Kbytes 页数：3 Pages

MERSEN

美尔森

1500VDC 20x65mm Photovoltaic Fuses

FEATURES/BENEFITS • 10A to 65A for higher amperage applications • Low fault current interrupting capability • Durable construction for enhanced system longevity • Temperature and load cycling capability • Certified to global standards • Recommended fuse holders: HP15FHP80W, HP15FHP80B

文件：335.24 Kbytes 页数：3 Pages

MERSEN

美尔森

120V P-Channel MOSFET

文件：2.18527 Mbytes 页数：7 Pages

KERSEMI