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FQPF27P06

60V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

文件:674.11 Kbytes 页数:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQPF27P06

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.6128 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FQPF27P06

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-17 A,26 mΩ,TO-220F

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-17A, -60V, RDS(on)= 26mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -8.5A栅极电荷低(典型值:33nC)\n•低 Crss(典型值120pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体

KQB27P06

60V P-Channel MOSFET

文件:64.75 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

KSM27P06

60V P-Channel MOSFET

文件:1.79162 Mbytes 页数:6 Pages

KERSEMI

KSMB27P06

Green device available.

文件:645.94 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -60

  • VGS Max (V):

    ±25

  • VGS(th) Max (V):

    -4

  • ID Max (A):

    -17

  • PD Max (W):

    47

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    70

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    33

  • Ciss Typ (pF):

    1100

  • Package Type:

    TO-220-3 FullPak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI
2019
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TO-220F
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更多FQPF27P06供应商 更新时间2025-10-9 16:50:00