P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -13.2A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.125Ω(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching · Battery Chargers

文件：362.51 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

100V P-Channel MOSFET

文件：625.7 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-13.2 A，125 mΩ，TO-220F

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-13.2A, -100V, RDS(on)= 125mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -6.6A栅极电荷低（典型值：40nC)\n•低 Crss（典型值160pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体

100V P-Channel MOSFET

文件：1.71843 Mbytes 页数：6 Pages

KERSEMI

-100V P-Channel Power MOSFET

文件：680.74 Kbytes 页数：7 Pages

TSC

台湾半导体