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FDP12N50NZ	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP12N50NZ	文件：388.56 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel UniFET II MOSFET? Description UniFET™IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravalanc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP12N50NZ	文件：331.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
12N50	文件：171.78 Kbytes Page：6 Pages	12Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC12N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N50	文件：167.59 Kbytes Page：6 Pages	12A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N50	文件：68.04 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=12A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
12N50ES	文件：1.039369 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N50K-MT	文件：214.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AM12N50P	文件：330.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel500-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AOB12N50	文件：439.68 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB12N50	文件：262.85 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB12N50	文件：297.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB12N50	文件：1.03888 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB12N50L	文件：1.03892 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB12N50L	文件：439.68 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N50	文件：303.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT12N50	文件：1.03218 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT12N50	文件：262.85 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N50	文件：439.68 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
FDP12N50NZ
功能描述：
MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDP12N50NZ供应商更新时间2024-5-1 14:14:00

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