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FDPC8013S

30 V 不对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET

该器件在双封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制SyncFETTM(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。 • Q1: N沟道\n•VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 9.6mΩQ2: N沟道\n•VGS = 4.5 V,ID = 22 A时,最大rDS(on) = 2.7mΩ\n•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗\n•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局;

ONSEMI

安森美半导体

FDPC8013S

PowerTrench짰 Power Clip 30 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

文件:509.17 Kbytes 页数:12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FYS-8013

LED DIGIT DISPLAY

文件:329.4 Kbytes 页数:4 Pages

FORYARD

复洋

FYS-8013A/BX-XX

LED DIGIT DISPLAY

文件:329.4 Kbytes 页数:4 Pages

FORYARD

复洋

FYS-8013ASLASHBX-XX

LED DIGIT DISPLAY

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FORYARD

复洋

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    Q1

  • PD Max (W):

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    43

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    21

  • Ciss Typ (pF):

    2785

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDPC8013S供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00